Продукція > STMICROELECTRONICS > STP6N80K5
STP6N80K5

STP6N80K5 STMicroelectronics

stp6n80k5.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
160+92.19 грн
197+74.99 грн
211+70.07 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 160 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP6N80K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP6N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 85W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm.

Інші пропозиції STP6N80K5 за ціною від 56.79 грн до 213.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP6N80K5 STP6N80K5 STMicroelectronics en.DM00085379.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 457 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+213.79 грн
10+119.30 грн
100+80.26 грн
500+62.09 грн
5000+56.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N80K5 STP6N80K5 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000773784-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STP6N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N80K5 en.DM00085379.pdf
STP6N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 457 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+213.79 грн
10+119.30 грн
100+80.26 грн
500+62.09 грн
5000+56.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N80K5 SGST-S-A0000773784-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STP6N80K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP6N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.