STP6N90K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 207.35 грн |
| 10+ | 131.64 грн |
| 100+ | 81.34 грн |
| 500+ | 68.68 грн |
| 1000+ | 57.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP6N90K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V.
Інші пропозиції STP6N90K5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STP6N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|
| STP6N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
||
 |
STP6N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
STP6N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V |
товару немає в наявності |
|
| STP6N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |