STP6NK60Z STMicroelectronics
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 32.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP6NK60Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STP6NK60Z за ціною від 33.02 грн до 149.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STP6NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3 Case: TO220-3 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: THT Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.2Ω Drain current: 3.8A Drain-source voltage: 600V Kind of package: tube |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP6NK60Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP6NK60Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP6NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3 Case: TO220-3 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: THT Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.2Ω Drain current: 3.8A Drain-source voltage: 600V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 112 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP6NK60Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP6NK60Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP6NK60Z | Виробник : STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP6NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V |
на замовлення 1966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP6NK60Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 3770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP6NK60Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP6NK60Z | Виробник : ST |
N-MOSFET 6A 600V 125W 1Ω Replacement: STP6NC60 STP6NK60Z TSTP6NK60Z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 160 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP6NK60Z |
на замовлення 29 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
STP6NK60Z | STP6NK60Z Транзисторы MOS FET Power |
на замовлення 92 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
STP6NK60Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |