STP6NK60Z STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 156+ | 90.71 грн |
| 172+ | 82.58 грн |
| 500+ | 76.47 грн |
| 1000+ | 64.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP6NK60Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, Verlustleistung: 110W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.
Інші пропозиції STP6NK60Z за ціною від 46.75 грн до 284.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP6NK60Z | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP6NK60Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.8A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 227 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP6NK60Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V |
на замовлення 1814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STP6NK60Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP6NK60Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
на замовлення 3423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
STP6NK60Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 1206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
STP6NK60Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| STP6NK60Z | ST |
N-MOSFET 6A 600V 125W 1Ω Replacement: STP6NC60 STP6NK60Z TSTP6NK60Z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 105 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| STP6NK60Z |
|
на замовлення 29 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STP6NK60Z |
STP6NK60Z Транзисторы MOS FET Power |
на замовлення 92 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STP6NK60Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 119.55 грн |
| 10+ | 90.37 грн |
| 100+ | 82.27 грн |
| 500+ | 73.47 грн |
| 1000+ | 59.81 грн |
| STP6NK60Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 145.54 грн |
| 50+ | 63.84 грн |
| STP6NK60Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 213.10 грн |
| 50+ | 102.08 грн |
| 100+ | 92.05 грн |
| 500+ | 69.88 грн |
| 1000+ | 64.58 грн |
| STP6NK60Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 284.13 грн |
| 10+ | 145.28 грн |
| STP6NK60Z |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 3423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP6NK60Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STP6NK60Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)