Продукція > STM > STP75N20

STP75N20 STM


ST(B,P,W)75N20.pdf Виробник: STM
TO-220 06+
на замовлення 26 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP75N20 STM

Description: MOSFET N-CH 200V 75A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STP75N20

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STP75N20 STP75N20 Виробник : STMicroelectronics ST(B,P,W)75N20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 25 V
товар відсутній
STP75N20 STP75N20 Виробник : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00073041-1205709.pdf MOSFET POWER MOSFET
товар відсутній