Продукція > STMICROELECTRONICS > STP7N52DK3
STP7N52DK3

STP7N52DK3 STMicroelectronics

1529524517842797cd002.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 525V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+64.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP7N52DK3 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 525V 6A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STP7N52DK3 за ціною від 69.62 грн до 69.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP7N52DK3 STP7N52DK3 Виробник : STMicroelectronics 1529524517842797cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 525V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
175+69.62 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N52DK3 Виробник : STMicroelectronics
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N52DK3 Виробник : STMicroelectronics 1529524517842797cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 525V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N52DK3 STP7N52DK3 Виробник : STMicroelectronics 1529524517842797cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 525V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N52DK3 STP7N52DK3 Виробник : STMicroelectronics Description: MOSFET N-CH 525V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.