Продукція > STMICROELECTRONICS > STP7N60M2
STP7N60M2

STP7N60M2 STMicroelectronics

en.DM00084275.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Gate charge: 8.8nC
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+114.41 грн
10+73.30 грн
50+51.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP7N60M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 60W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Plus, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm.

Інші пропозиції STP7N60M2 за ціною від 36.07 грн до 129.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP7N60M2 STP7N60M2 STMicroelectronics 1399468756876156dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+122.80 грн
120+117.31 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N60M2 STP7N60M2 STMicroelectronics en.DM00084275.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.31 грн
50+59.52 грн
100+53.17 грн
500+39.43 грн
1000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N60M2 STP7N60M2 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005414790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
на замовлення 1654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N60M2 STP7N60M2 STMicroelectronics en.DM00084275.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
на замовлення 3062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N60M2 1399468756876156dm000.pdf
STP7N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
115+122.80 грн
120+117.31 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N60M2 en.DM00084275.pdf
STP7N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.31 грн
50+59.52 грн
100+53.17 грн
500+39.43 грн
1000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N60M2 SGST-S-A0005414790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP7N60M2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
на замовлення 1654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N60M2 en.DM00084275.pdf
STP7N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
на замовлення 3062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.