STP7N60M2

STP7N60M2 STMicroelectronics


en.DM00084275.pdf Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP7N60M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Plus, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STP7N60M2 за ціною від 35.10 грн до 115.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP7N60M2 STP7N60M2 Виробник : STMicroelectronics 1399468756876156dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+106.39 грн
120+101.63 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N60M2 STP7N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00084275.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.97 грн
50+49.31 грн
100+48.51 грн
500+41.74 грн
1000+38.55 грн
2000+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N60M2 STP7N60M2 Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00084275.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.61 грн
15+57.47 грн
100+53.76 грн
500+43.88 грн
1000+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N60M2 STP7N60M2 Виробник : STMicroelectronics std7n60m2-1850597.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.73 грн
10+59.67 грн
100+48.14 грн
500+41.98 грн
1000+40.66 грн
5000+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N60M2 STP7N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00084275.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.59 грн
10+75.26 грн
19+59.29 грн
50+56.05 грн
500+54.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N60M2 STP7N60M2 Виробник : STMicroelectronics 1399468756876156dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N60M2 STP7N60M2 Виробник : STMicroelectronics 1399468756876156dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N60M2 Виробник : STMicroelectronics 1399468756876156dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.