STP7N60M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 106.00 грн |
| 50+ | 48.11 грн |
| 100+ | 47.71 грн |
| 500+ | 43.89 грн |
| 1000+ | 39.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP7N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Plus, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STP7N60M2 за ціною від 39.19 грн до 116.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP7N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP7N60M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh II Plus productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP7N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2 |
на замовлення 2538 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP7N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STP7N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STP7N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
STP7N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Gate charge: 8.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STP7N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Gate charge: 8.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |