STP7N60M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Gate charge: 8.8nC
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 117.60 грн |
| 10+ | 75.34 грн |
| 50+ | 52.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP7N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 60W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Plus, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm.
Інші пропозиції STP7N60M2 за ціною від 40.43 грн до 132.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP7N60M2 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP7N60M2 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220 |
на замовлення 991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP7N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2 |
на замовлення 3059 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
STP7N60M2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 60W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh II Plus productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm |
на замовлення 1612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STP7N60M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 115+ | 123.35 грн |
| 120+ | 117.84 грн |
| STP7N60M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 132.92 грн |
| 10+ | 81.21 грн |
| 50+ | 61.04 грн |
| 100+ | 51.16 грн |
| 500+ | 40.43 грн |
| STP7N60M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STP7N60M2 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)