STP7NK80Z
Код товару: 44313
Виробник: STUds,V: 800 V
Idd,A: 5,2 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1138/40
у наявності 109 шт:
95 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 58 грн |
10+ | 53.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STP7NK80Z за ціною від 52.5 грн до 196.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STP7NK80Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP7NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.3A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP7NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.3A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 78 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP7NK80Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP7NK80Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP7NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V |
на замовлення 993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP7NK80Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP7NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP7NK80Z | Виробник : STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH |
на замовлення 730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP7NK80Z | Виробник : ST |
N-MOSFET 5,2A 22V 125W STP7NK80Z TSTP7NK80Z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP7NK80Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STP7NK80Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
З цим товаром купують
470pF 50V X7R 5% 0805 4k/reel (C0805B471J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 14640 |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 470 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 470 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
у наявності: 9647 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.8 грн |
100+ | 0.7 грн |
1000+ | 0.5 грн |
330 Ohm 5% 2W вив. (MOR200SJTB-330R-Hitano) Код товару: 33141 |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 2W
Номінал: 330 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 2 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 11x4,0 mm; Dвив. = 0,76 mm
Тип: метало-оксидні мініатюрні
Вивідні резистори > 2W
Номінал: 330 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 2 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 11x4,0 mm; Dвив. = 0,76 mm
Тип: метало-оксидні мініатюрні
у наявності: 1044 шт
очікується:
2000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.8 грн |
100+ | 1.6 грн |
1000+ | 1.4 грн |
22uF 50V EMR 6,3x7mm (Super miniature size) (EMR220M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 50432 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EMR
Тип: супермініатюрні, 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6,3х7mm
Строк життя: 1000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EMR
Тип: супермініатюрні, 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6,3х7mm
Строк життя: 1000 годин
у наявності: 9540 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 1.5 грн |
10+ | 1.2 грн |
100+ | 0.9 грн |
1000+ | 0.6 грн |
4,7 Ohm 5% 3/4W 200V 2010 (RC2010JK-4R7) Код товару: 117418 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2010
Номінал: 4,7 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,75 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 2010
SMD резистори > 2010
Номінал: 4,7 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,75 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 2010
у наявності: 1343 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.9 грн |
100+ | 0.8 грн |
1000+ | 0.6 грн |