Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STP7NK80Z
STP7NK80Z

STP7NK80Z

en.CD00003046.pdf
Код товару: 44313
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ST
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 800 V
Струм стоку Idd, A: 5,2 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1138/40
у наявності: 52 шт
  • 21 шт - склад
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+58.00 грн
10+53.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STP7NK80Z за ціною від 65.23 грн до 326.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP7NK80Z STP7NK80Z STMicroelectronics cd00003046.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80Z STP7NK80Z STMicroelectronics cd00003046.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80Z STP7NK80Z STMicroelectronics cd00003046.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+155.44 грн
100+147.24 грн
500+133.50 грн
1000+116.30 грн
2500+106.61 грн
5000+100.33 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80Z STP7NK80Z STMicroelectronics STP7NK80Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+233.02 грн
10+109.86 грн
50+95.61 грн
100+90.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80Z STP7NK80Z STMicroelectronics en.CD00003046.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.98 грн
50+132.80 грн
100+120.30 грн
500+92.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80Z STP7NK80Z STMICROELECTRONICS SGSTS36803-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP7NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.99 грн
10+127.62 грн
100+120.30 грн
500+101.14 грн
1000+85.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80Z STP7NK80Z STMicroelectronics cd00003046.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+326.82 грн
10+155.94 грн
100+147.71 грн
500+129.14 грн
1000+108.03 грн
2500+102.67 грн
5000+100.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80Z STP7NK80Z STMicroelectronics en.CD00003046.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80Z ST en.CD00003046.pdf N-MOSFET 5,2A 22V 125W STP7NK80Z TSTP7NK80Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+65.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80Z cd00003046.pdf
STP7NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+117.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80Z cd00003046.pdf
STP7NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+117.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80Z cd00003046.pdf
STP7NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
91+155.44 грн
100+147.24 грн
500+133.50 грн
1000+116.30 грн
2500+106.61 грн
5000+100.33 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80Z STP7NK80Z.pdf
STP7NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+233.02 грн
10+109.86 грн
50+95.61 грн
100+90.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80Z en.CD00003046.pdf
STP7NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+271.98 грн
50+132.80 грн
100+120.30 грн
500+92.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80Z SGSTS36803-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP7NK80Z
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP7NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+277.99 грн
10+127.62 грн
100+120.30 грн
500+101.14 грн
1000+85.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80Z cd00003046.pdf
STP7NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+326.82 грн
10+155.94 грн
100+147.71 грн
500+129.14 грн
1000+108.03 грн
2500+102.67 грн
5000+100.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80Z en.CD00003046.pdf
STP7NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80Z en.CD00003046.pdf
Виробник: ST
N-MOSFET 5,2A 22V 125W STP7NK80Z TSTP7NK80Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+65.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

LL4148
Код товару: 2413
4 Додати до обраних Обраний товар
LL4148-D.PDF ll4148.pdf %5BLumimax%5DLL4148.pdf 5399_LL4148%20LL-34.PDF LL4148.pdf LL4148.pdf 1801_LL4148_20SERIES_J15.pdf
LL4148
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-80
Uзвор., V: 100 V
Iвипр., A: 0,2 A
Опис: 4 ns
Монтаж: SMD
у наявності: 56606 шт
  • 51356 шт - склад
  • 1422 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2086 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 164 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1578 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.00 грн
40+0.50 грн
100+0.40 грн
1000+0.30 грн
10000+0.20 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60Z
Код товару: 14727
3 Додати до обраних Обраний товар
STP10NK60Z.pdf
STP10NK60Z
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 600 V
Струм стоку Idd, A: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1370/50
Монтаж: THT
у наявності: 30 шт
  • 30 шт - склад
очікується: 150 шт
  • 150 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+44.00 грн
10+39.60 грн
100+35.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
100uF 25V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 31676
7 Додати до обраних Обраний товар
ESX_080418.pdf
100uF 25V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін. напруга: 25 V
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп. діапазон: -55...+105°C
Габарити: 6,3x11 mm
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 11499 шт
  • 11068 шт - склад
  • 137 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 294 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 430 шт
  • 430 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
8+2.50 грн
10+2.00 грн
100+1.60 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LNK304GN
Код товару: 36956
Додати до обраних Обраний товар
description linkswitch-tn_family_datasheet.pdf
LNK304GN
Виробник: PI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SMD-8
Призначення і характеристики: Імпульсний регулятор напруги
Напруга вхідна, V: 85...265 V
Iвих., A: 170 mA
Fosc, kHz: 66 kHz
Темп. діапазон: -40…+150°C
у наявності: 260 шт
  • 240 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10 шт
  • 10 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+53.00 грн
10+47.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
10uF 63V EXR 5x11mm (EXR100M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 105927
4 Додати до обраних Обраний товар
exr_20141128datasheet.pdf
10uF 63V EXR 5x11mm (EXR100M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін. напруга: 63 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°C
Габарити: 5x11 mm
Строк служби: 5000 годин
у наявності: 40 шт
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 36 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 10015 шт
  • 10000 шт - очікується 29.10.2026
  • 15 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
8+2.50 грн
16+1.30 грн
100+1.00 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.