STP7NK80Z
Код товару: 44313
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ST
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 5,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1138/40
у наявності: 52 шт
- 21 шт - склад
- 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 58.00 грн |
| 10+ | 53.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STP7NK80Z за ціною від 65.09 грн до 326.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP7NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP7NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP7NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP7NK80Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V |
на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP7NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP7NK80Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP7NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.8 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm |
на замовлення 1053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
STP7NK80Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH |
на замовлення 1935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP7NK80Z | ST |
N-MOSFET 5,2A 22V 125W STP7NK80Z TSTP7NK80Zкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STP7NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 117.60 грн |
| STP7NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 117.60 грн |
| STP7NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 91+ | 155.09 грн |
| 100+ | 146.92 грн |
| 500+ | 133.20 грн |
| 1000+ | 116.04 грн |
| 2500+ | 106.37 грн |
| 5000+ | 100.11 грн |
| STP7NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 271.38 грн |
| 50+ | 132.50 грн |
| 100+ | 120.03 грн |
| 500+ | 92.12 грн |
| STP7NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 326.09 грн |
| 10+ | 155.59 грн |
| 100+ | 147.39 грн |
| 500+ | 128.85 грн |
| 1000+ | 107.79 грн |
| 2500+ | 102.44 грн |
| 5000+ | 100.42 грн |
| STP7NK80Z |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP7NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP7NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP7NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
З цим товаром купують
| LL4148 Код товару: 2413
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-80
Uзвор., В: 100 В
Iвипр., А: 0,2 А
Опис: 4 ns
Монтаж: SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-80
Uзвор., В: 100 В
Iвипр., А: 0,2 А
Опис: 4 ns
Монтаж: SMD
у наявності: 48101 шт
- 38120 шт - склад
- 1317 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2086 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 5000 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 1578 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1957 шт
- 1957 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 40+ | 0.50 грн |
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.30 грн |
| 10000+ | 0.20 грн |
| STP10NK60Z Код товару: 14727
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,75 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1370/50
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,75 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1370/50
Монтаж: THT
у наявності: 180 шт
- 180 шт - склад
на замовлення: 5 шт
- 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 44.00 грн |
| 10+ | 39.60 грн |
| 100+ | 35.90 грн |
| 100uF 25V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 31676
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп. діапазон: -55...+105°С
Габарити: 6,3x11 мм
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп. діапазон: -55...+105°С
Габарити: 6,3x11 мм
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 1396 шт
- 633 шт - склад
- 200 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 365 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 198 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
- 10000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 1.60 грн |
| 1000+ | 1.20 грн |
| LNK304GN Код товару: 36956
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: PI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SMD-8
Призначення і характеристики: Імпульсний регулятор напруги
Напруга вхідна, В: 85...265 В
Iвих., А: 170 мА
Частота Fosc, кГц: 66 кГц
Темп. діапазон: -40…+150°С
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SMD-8
Призначення і характеристики: Імпульсний регулятор напруги
Напруга вхідна, В: 85...265 В
Iвих., А: 170 мА
Частота Fosc, кГц: 66 кГц
Темп. діапазон: -40…+150°С
у наявності: 243 шт
- 218 шт - склад
- 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10 шт
- 10 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 53.00 грн |
| 10+ | 47.60 грн |
| 10uF 63V EXR 5x11mm (EXR100M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 105927
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 мкФ
Номін. напруга: 63 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 5x11 мм
Строк служби: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 мкФ
Номін. напруга: 63 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 5x11 мм
Строк служби: 5000 годин
товару немає в наявності
очікується: 10015 шт
- 10000 шт - очікується 29.08.2026
- 15 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |










