STP7NK80Z
Код товару: 44313
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ST
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 5,2 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1138/40
у наявності 52 шт:
21 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 58.00 грн |
| 10+ | 53.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STP7NK80Z за ціною від 65.81 грн до 323.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP7NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STP7NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STP7NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STP7NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.3A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STP7NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH |
на замовлення 1935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP7NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V |
на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STP7NK80Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP7NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.8 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STP7NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STP7NK80Z | Виробник : ST |
N-MOSFET 5,2A 22V 125W STP7NK80Z TSTP7NK80Zкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STP7NK80Z | Виробник : STM |
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| LL4148 Код товару: 2413
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-80
Uзвор., V: 100 V
Iвипр., A: 0,2 A
Опис: 4 ns
Монтаж: SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-80
Uзвор., V: 100 V
Iвипр., A: 0,2 A
Опис: 4 ns
Монтаж: SMD
у наявності: 61252 шт
55876 шт - склад
1428 шт - РАДІОМАГ-Київ
2086 шт - РАДІОМАГ-Львів
184 шт - РАДІОМАГ-Харків
1678 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1428 шт - РАДІОМАГ-Київ
2086 шт - РАДІОМАГ-Львів
184 шт - РАДІОМАГ-Харків
1678 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 40+ | 0.50 грн |
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.30 грн |
| 10000+ | 0.20 грн |
| STP10NK60Z Код товару: 14727
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1370/50
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1370/50
Монтаж: THT
у наявності: 150 шт
150 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 44.00 грн |
| 10+ | 39.60 грн |
| 100+ | 35.90 грн |
| 100uF 25V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 31676
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 6,3х11mm
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 6,3х11mm
у наявності: 1881 шт
1732 шт - склад
148 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
148 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується:
10000 шт
10000 шт - очікується 15.06.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 1.60 грн |
| 1000+ | 1.20 грн |
| LNK304GN Код товару: 36956
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: PI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SMD-8
Призначення і характеристики: Імпульсний регулятор напруги
Напруга вхідна, V: 85...265 V
Iвых., A: 170 mA
Fosc, kHz: 66 kHz
Темп.діапазон: -40…+150°C
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SMD-8
Призначення і характеристики: Імпульсний регулятор напруги
Напруга вхідна, V: 85...265 V
Iвых., A: 170 mA
Fosc, kHz: 66 kHz
Темп.діапазон: -40…+150°C
у наявності: 70 шт
65 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується:
200 шт
200 шт - очікується 20.06.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 53.00 грн |
| 10+ | 47.60 грн |
| 10uF 63V EXR 5x11mm (EXR100M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 105927
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 129 шт
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
116 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Харків
116 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується:
10000 шт
10000 шт - очікується 29.10.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |








