STP7NK80Z
Код товару: 44313
Виробник: STКорпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 5,2 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1138/40
у наявності 54 шт:
21 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 58.00 грн |
| 10+ | 53.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STP7NK80Z за ціною від 42.60 грн до 267.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP7NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP7NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP7NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP7NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP7NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.3A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP7NK80Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP7NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.8 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP7NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V |
на замовлення 872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP7NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH |
на замовлення 1935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP7NK80Z | Виробник : ST |
N-MOSFET 5,2A 22V 125W STP7NK80Z TSTP7NK80Zкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
З цим товаром купують
| LL4148 Код товару: 2413
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
у наявності: 25752 шт
18816 шт - склад
1813 шт - РАДІОМАГ-Київ
2251 шт - РАДІОМАГ-Львів
184 шт - РАДІОМАГ-Харків
2688 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1813 шт - РАДІОМАГ-Київ
2251 шт - РАДІОМАГ-Львів
184 шт - РАДІОМАГ-Харків
2688 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 40+ | 0.50 грн |
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.30 грн |
| 10000+ | 0.20 грн |
| STP10NK60Z Код товару: 14727
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1370/50
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1370/50
Монтаж: THT
у наявності: 89 шт
23 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 44.00 грн |
| 10+ | 39.60 грн |
| 100+ | 35.90 грн |
| 100uF 25V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 31676
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 6,3х11mm
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 6,3х11mm
у наявності: 2717 шт
2648 шт - склад
68 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
68 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується:
10000 шт
10000 шт - очікується 15.06.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 1.60 грн |
| 1000+ | 1.20 грн |
| LNK304GN Код товару: 36956
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: PI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SMD-8
Призначення і характеристики: Імпульсний регулятор напруги
Напруга вхідна, V: 85...265 V
Iвых., A: 170 mA
Fosc, kHz: 66 kHz
Темп.діапазон: -40…+150°C
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SMD-8
Призначення і характеристики: Імпульсний регулятор напруги
Напруга вхідна, V: 85...265 V
Iвых., A: 170 mA
Fosc, kHz: 66 kHz
Темп.діапазон: -40…+150°C
у наявності: 82 шт
70 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 53.00 грн |
| 10+ | 47.60 грн |
| 10uF 63V EXR 5x11mm (EXR100M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 105927
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 1315 шт
950 шт - склад
172 шт - РАДІОМАГ-Київ
79 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Харків
105 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
172 шт - РАДІОМАГ-Київ
79 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Харків
105 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
10000 шт
10000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |








