STP7NM60N STMicroelectronics
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 77.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP7NM60N STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 45W (Tc).
Інші пропозиції STP7NM60N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP7NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| STP7NM60N |
|
на замовлення 14097 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
STP7NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) |
товару немає в наявності |