STP80N10F7 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 123.49 грн |
| 10+ | 107.03 грн |
| 100+ | 97.97 грн |
| 500+ | 81.80 грн |
| 1000+ | 61.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP80N10F7 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP80N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VII, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STP80N10F7 за ціною від 121.10 грн до 194.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP80N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 80A STripFET VII |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP80N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STP80N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
STP80N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |