STP80N1K1K6

STP80N1K1K6 STMicroelectronics


stp80n1k1k6.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: Linear IC's
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 400 V
на замовлення 997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.15 грн
10+85.15 грн
25+77.30 грн
100+64.47 грн
250+60.62 грн
500+58.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP80N1K1K6 STMicroelectronics

Description: Linear IC's, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 400 V.

Інші пропозиції STP80N1K1K6 за ціною від 47.92 грн до 188.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP80N1K1K6 STP80N1K1K6 Виробник : STMicroelectronics stp80n1k1k6.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.43 грн
10+101.63 грн
100+70.09 грн
500+57.14 грн
1000+53.63 грн
2000+48.76 грн
5000+47.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N1K1K6 Виробник : STMicroelectronics stp80n1k1k6.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N1K1K6 Виробник : STMicroelectronics stp80n1k1k6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 8A; 62W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 62W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.