STP80N1K1K6 STMicroelectronics

Description: Linear IC's
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 400 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 116.98 грн |
10+ | 82.23 грн |
25+ | 74.64 грн |
100+ | 62.26 грн |
250+ | 58.54 грн |
500+ | 56.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP80N1K1K6 STMicroelectronics
Description: Linear IC's, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 400 V.
Інші пропозиції STP80N1K1K6 за ціною від 115.06 грн до 138.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP80N1K1K6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
STP80N1K1K6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||
STP80N1K1K6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |