STP80N450K6 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80N450K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 288.02 грн |
| 10+ | 170.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP80N450K6 STMICROELECTRONICS
Description: N-CHANNEL 800 V, 400 MOHM TYP.,, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 400 V.
Інші пропозиції STP80N450K6 за ціною від 108.18 грн до 333.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP80N450K6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP80N450K6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 800 V, 400 MOHM TYP., Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 400 V |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STP80N450K6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| STP80N450K6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| STP80N450K6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| STP80N450K6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 18A; 100W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 100W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 17.3nC |
товару немає в наявності |