STP80N6F6

STP80N6F6 STMicroelectronics


1399979179344842a.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 1197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP80N6F6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO220, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7480 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції STP80N6F6 за ціною від 50.37 грн до 50.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP80N6F6 STP80N6F6 Виробник : STMicroelectronics 1399979179344842a.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N6F6 STP80N6F6 Виробник : STMicroelectronics en.DM00060708-1220622.pdf MOSFET N-CH 60V 110A STripFET VI DeepGATE
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N6F6 STP80N6F6 Виробник : STMicroelectronics en.DM00060708.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO220
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.