STP80N70F4
Виробник: на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP80N70F4
Description: MOSFET N-CH 68V 85A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 68 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP80N70F4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
STP80N70F4 Код товару: 140338 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
 |
STP80N70F4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 68V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|
 |
STP80N70F4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 68V 85A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 68 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
STP80N70F4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 68 V, 8.2 mOhm typ., 85 A STripFET DeepGATE Power MOSFET in TO-220 package |
товар відсутній |