
STP80NF10 STMicroelectronics
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 51.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP80NF10 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Інші пропозиції STP80NF10 за ціною від 40.41 грн до 298.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP80NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 5331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
STP80NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
STP80NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
STP80NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
STP80NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
STP80NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 366 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
STP80NF10 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 12811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
STP80NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
STP80NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
STP80NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
STP80NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V |
на замовлення 1167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
STP80NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
STP80NF10 | Виробник : ST |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
STP80NF10 Код товару: 33804
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 80 A Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4300/140 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|