Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STP80NF12
STP80NF12

STP80NF12

stp80nf12-datasheet.pdf
Код товару: 41692
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: TO220-3
Напруга сток-витік Uds, V: 120 V
Струм стоку Idd, A: 80 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0.018 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 4300/
Примітка: Power MOSFET
Монтаж: THT
8542 39 90 00
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+78.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STP80NF12 за ціною від 60.63 грн до 186.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP80NF12 STP80NF12 STMicroelectronics 1018073286818642cd00003180.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.85 грн
50+89.94 грн
100+85.58 грн
500+78.05 грн
1000+71.54 грн
2000+67.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12 STP80NF12 STMicroelectronics 1018073286818642cd00003180.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+91.34 грн
157+90.42 грн
165+86.04 грн
500+78.48 грн
1000+71.93 грн
2000+68.36 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12 STP80NF12 STMicroelectronics 1018073286818642cd00003180.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+108.67 грн
132+107.58 грн
144+98.90 грн
500+92.62 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12 STP80NF12 STMicroelectronics STP80NF12.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 120V; 60A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.36 грн
50+67.16 грн
100+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12 STP80NF12 STMicroelectronics en.CD00003180.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.75 грн
50+88.98 грн
100+80.14 грн
500+60.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12 STP80NF12 STMICROELECTRONICS SGSTS51140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF12 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 80 A, 0.013 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12 STP80NF12 STMicroelectronics en.CD00003180.pdf MOSFETs N-Ch 120 Volt 80 Amp
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12 ST en.CD00003180.pdf N-MOSFET 120V 80A 300W STP80NF12 STMicroelectronics TSTP80NF12
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+63.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12 1018073286818642cd00003180.pdf
STP80NF12
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+90.85 грн
50+89.94 грн
100+85.58 грн
500+78.05 грн
1000+71.54 грн
2000+67.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12 1018073286818642cd00003180.pdf
STP80NF12
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
155+91.34 грн
157+90.42 грн
165+86.04 грн
500+78.48 грн
1000+71.93 грн
2000+68.36 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12 1018073286818642cd00003180.pdf
STP80NF12
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
131+108.67 грн
132+107.58 грн
144+98.90 грн
500+92.62 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12 STP80NF12.pdf
STP80NF12
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 120V; 60A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+130.36 грн
50+67.16 грн
100+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12 en.CD00003180.pdf
STP80NF12
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+186.75 грн
50+88.98 грн
100+80.14 грн
500+60.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12 SGSTS51140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP80NF12
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF12 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 80 A, 0.013 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12 en.CD00003180.pdf
STP80NF12
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 120 Volt 80 Amp
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12 en.CD00003180.pdf
Виробник: ST
N-MOSFET 120V 80A 300W STP80NF12 STMicroelectronics TSTP80NF12
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+63.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.