
STP80NF55-08 STMicroelectronics
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 95.79 грн |
2000+ | 90.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP80NF55-08 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF55-08 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.008 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STP80NF55-08 за ціною від 69.23 грн до 236.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP80NF55-08 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP80NF55-08 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP80NF55-08 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 112-121 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP80NF55-08 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP80NF55-08 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STP80NF55-08 Код товару: 172526
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
STP80NF55-08 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STP80NF55-08 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STP80NF55-08 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STP80NF55-08 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
STP80NF55-08 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |