STP80NF55-08 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80NF55-08 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.008 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 172.48 грн |
| 10+ | 143.99 грн |
| 100+ | 133.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP80NF55-08 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF55-08 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.008 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Інші пропозиції STP80NF55-08 за ціною від 63.15 грн до 220.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP80NF55-08 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP80NF55-08 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 55 Volt 80 Amp |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP80NF55-08 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 161 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP80NF55-08 | Виробник : ST |
N-MOSFET 80A 55V 300W 0.008Ω STP80NF55-08 TSTP80NF55-08 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP80NF55-08 Код товару: 172526 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
 |
STP80NF55-08 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
STP80NF55-08 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STP80NF55-08 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STP80NF55-08 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
STP80NF55-08 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |