Інші пропозиції STP80NF55-08 за ціною від 66.76 грн до 204.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP80NF55-08 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STP80NF55-08 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STP80NF55-08 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
STP80NF55-08 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V |
на замовлення 762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STP80NF55-08 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
STP80NF55-08 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF55-08 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 8000 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
STP80NF55-08 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 55 Volt 80 Amp |
на замовлення 962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| STP80NF55-08 | ST |
N-MOSFET 80A 55V 300W 0.008Ω STP80NF55-08 TSTP80NF55-08кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STP80NF55-08 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 93.03 грн |
| 2000+ | 91.03 грн |
| STP80NF55-08 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 148.16 грн |
| STP80NF55-08 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 191.58 грн |
| 10+ | 145.77 грн |
| STP80NF55-08 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 204.75 грн |
| 50+ | 97.86 грн |
| 100+ | 88.15 грн |
| 500+ | 66.76 грн |
| STP80NF55-08 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP80NF55-08 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF55-08 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 8000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF55-08 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 8000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP80NF55-08 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 55 Volt 80 Amp
MOSFETs N-Ch 55 Volt 80 Amp
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STP80NF55-08 |
![]() |
на замовлення 48 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 147.74 грн |






