Технічний опис STP80PF55
Description: MOSFET P-CH 55V 80A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP80PF55
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP80PF55 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STP80PF55 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
|
STP80PF55 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
STP80PF55 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |