
STP8N120K5 STMicroelectronics
на замовлення 6158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 246.22 грн |
250+ | 244.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP8N120K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP8N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP8N120K5 за ціною від 202.38 грн до 581.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP8N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 6158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP8N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 100 V |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP8N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP8N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 693 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP8N120K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP8N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
STP8N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STP8N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
STP8N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STP8N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |