Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STP8N120K5

STP8N120K5

en.DM00492592.pdf
Код товару: 213846
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STP8N120K5 за ціною від 230.37 грн до 599.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP8N120K5 STP8N120K5 STMicroelectronics en.dm00492592.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+284.78 грн
250+282.33 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5 STP8N120K5 STMicroelectronics en.dm00492592.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+364.47 грн
10+363.05 грн
25+295.22 грн
100+274.61 грн
250+252.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5 STP8N120K5 STMicroelectronics en.DM00492592.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+432.48 грн
50+246.23 грн
100+230.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5 STP8N120K5 STMicroelectronics stp8n120k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 3.5A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+435.26 грн
5+355.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5 STP8N120K5 STMicroelectronics en.dm00492592.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+599.93 грн
10+593.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5 STP8N120K5 STMICROELECTRONICS en.DM00492592.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP8N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5 STP8N120K5 STMicroelectronics en.DM00492592.pdf MOSFETs N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5 STP8N120K5 STMicroelectronics en.dm00492592.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5 en.dm00492592.pdf
STP8N120K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+284.78 грн
250+282.33 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5 en.dm00492592.pdf
STP8N120K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+364.47 грн
10+363.05 грн
25+295.22 грн
100+274.61 грн
250+252.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5 en.DM00492592.pdf
STP8N120K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+432.48 грн
50+246.23 грн
100+230.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5 stp8n120k5.pdf
STP8N120K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 3.5A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+435.26 грн
5+355.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5 en.dm00492592.pdf
STP8N120K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+599.93 грн
10+593.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5 en.DM00492592.pdf
STP8N120K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP8N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5 en.DM00492592.pdf
STP8N120K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5 en.dm00492592.pdf
STP8N120K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

BY255P-E3/54
Код товару: 213845
Додати до обраних Обраний товар
by251p.pdf
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1000uF 35V EFH 13x25mm (EFH102M35B-Hitano)
Код товару: 123387
4 Додати до обраних Обраний товар
efh_hitano-datasheet.pdf
1000uF 35V EFH 13x25mm (EFH102M35B-Hitano)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 мкФ
Номін. напруга: 35 В
Серія: EFH
Тип: для баласту, з довгим терміном служби, 105°C
Темп. діапазон: ...+105°С
Габарити: 13x25 мм
Строк служби: 10000 годин
товару немає в наявності
очікується: 1000 шт
  • 1000 шт - очікується 10.08.2026
КількістьЦіна без ПДВ
2+11.00 грн
10+9.90 грн
100+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
470uF 35V EFH 10x20mm (EFH471M35B – Hitano)
Код товару: 114671
3 Додати до обраних Обраний товар
efh_20160323.pdf
470uF 35V EFH 10x20mm (EFH471M35B – Hitano)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 35 В
Серія: EFH
Тип: для баласту, з довгим терміном служби, 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 10x20 мм
Строк служби: 7000 годин
у наявності: 97 шт
  • 83 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2200uF 35V EXR 16x31mm (low imp.) (EXR222M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 19015
1 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
2200uF 35V EXR 16x31mm (low imp.) (EXR222M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 мкФ
Номін. напруга: 35 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 16x31 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
очікується: 3000 шт
  • 3000 шт - очікується
на замовлення: 23 шт
  • 23 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+19.00 грн
10+17.20 грн
100+15.50 грн
1000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.