STP8N80K5

STP8N80K5 STMICROELECTRONICS


en.DM00062075.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP8N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.59 грн
10+105.38 грн
100+103.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP8N80K5 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STP8N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperMESH 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STP8N80K5 за ціною від 53.20 грн до 194.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP8N80K5 STP8N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00062075.pdf Description: MOSFET N CH 800V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.98 грн
50+88.47 грн
100+86.24 грн
500+77.88 грн
1000+74.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N80K5 STP8N80K5 Виробник : STMicroelectronics stp8n80k5-1851363.pdf MOSFETs N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.36 грн
10+104.66 грн
100+85.13 грн
500+76.33 грн
1000+74.86 грн
2000+72.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N80K5 STP8N80K5 Виробник : STMicroelectronics stp8n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N80K5 Виробник : ST en.DM00062075.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A STP8N80K5 TSTP8N80K5
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+53.20 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N80K5 STP8N80K5 Виробник : STMicroelectronics 525442743942708dm0006.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N80K5 Виробник : STMicroelectronics 525442743942708dm0006.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N80K5 STP8N80K5 Виробник : STMicroelectronics stp8n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.