STP8N80K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 800V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 170.69 грн |
| 50+ | 78.50 грн |
| 100+ | 77.47 грн |
| 500+ | 72.48 грн |
| 1000+ | 68.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP8N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP8N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperMESH 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STP8N80K5 за ціною від 53.20 грн до 194.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP8N80K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP8N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP8N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5 |
на замовлення 984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP8N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| STP8N80K5 | Виробник : ST |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A STP8N80K5 TSTP8N80K5 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
STP8N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STP8N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
STP8N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |