на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 55.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP8N80K5 ST
Description: MOSFET N CH 800V 6A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP8N80K5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STP8N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N CH 800V 6A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
 |
STP8N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5 |
товару немає в наявності |