Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STP8NK100Z

STP8NK100Z

en.CD00073035.pdf
Код товару: 148918
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STP8NK100Z за ціною від 80.90 грн до 513.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP8NK100Z STP8NK100Z STMicroelectronics STF8NK100Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+303.90 грн
10+253.95 грн
25+224.33 грн
50+201.47 грн
100+176.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100Z STP8NK100Z STMicroelectronics en.CD00073035.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.80 грн
50+227.99 грн
100+208.35 грн
500+163.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100Z STP8NK100Z STMicroelectronics cd0007303.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+462.04 грн
32+450.03 грн
50+285.67 грн
100+254.60 грн
500+80.90 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100Z STP8NK100Z STMicroelectronics cd0007303.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+513.93 грн
10+288.92 грн
100+269.13 грн
500+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100Z STP8NK100Z STMicroelectronics en.CD00073035.pdf MOSFETs N-Ch 1000 V 1.60 Ohm Zener SuperMESH 6.5
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100Z STP8NK100Z STMICROELECTRONICS SGSTS32934-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP8NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6.5 A, 1.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.85ohm
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100Z ST en.CD00073035.pdf N-MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 1,85Ohm; 6,5A; 160W; -55°C ~ 150°C; STP8NK100Z TSTP8NK100Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+112.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100Z STF8NK100Z.pdf
STP8NK100Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+303.90 грн
10+253.95 грн
25+224.33 грн
50+201.47 грн
100+176.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100Z en.CD00073035.pdf
STP8NK100Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+447.80 грн
50+227.99 грн
100+208.35 грн
500+163.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100Z cd0007303.pdf
STP8NK100Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+462.04 грн
32+450.03 грн
50+285.67 грн
100+254.60 грн
500+80.90 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100Z cd0007303.pdf
STP8NK100Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+513.93 грн
10+288.92 грн
100+269.13 грн
500+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100Z en.CD00073035.pdf
STP8NK100Z
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 1000 V 1.60 Ohm Zener SuperMESH 6.5
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100Z SGSTS32934-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP8NK100Z
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP8NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6.5 A, 1.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.85ohm
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100Z en.CD00073035.pdf
Виробник: ST
N-MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 1,85Ohm; 6,5A; 160W; -55°C ~ 150°C; STP8NK100Z TSTP8NK100Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+112.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.