STP8NK100Z STMicroelectronics
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 81.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP8NK100Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP8NK100Z - MOSFET, N-KANAL, 1000V, 6A, TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.85ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STP8NK100Z за ціною від 99.63 грн до 430.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP8NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 160W; TO220-3; ESD Case: TO220-3 Drain-source voltage: 1kV Drain current: 4.3A On-state resistance: 1.85Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP8NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP8NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 3.15A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V |
на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP8NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP8NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 160W; TO220-3; ESD Case: TO220-3 Drain-source voltage: 1kV Drain current: 4.3A On-state resistance: 1.85Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 65 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP8NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 1000 V 1.60 Ohm Zener SuperMESH 6.5 |
на замовлення 301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP8NK100Z | Виробник : ST |
N-MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 1,85Ohm; 6,5A; 160W; -55°C ~ 150°C; STP8NK100Z TSTP8NK100Z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP8NK100Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP8NK100Z - MOSFET, N-KANAL, 1000V, 6A, TO-220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP8NK100Z | Виробник : STMicroelectronics NV |
STP8NK100Z MOSFET N-CH 1KV 6.5A TO-220-3 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
STP8NK100Z Код товару: 148918
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
STP8NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STP8NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STP8NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |