
STP8NK80Z STMicroelectronics
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 54.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP8NK80Z STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP8NK80Z за ціною від 64.22 грн до 214.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP8NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP8NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 171 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP8NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 7097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP8NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 7096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STP8NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V |
на замовлення 1001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP8NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1611 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
STP8NK80Z | Виробник : ST |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
STP8NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STP8NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |