STP8NK80Z STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 143+ | 99.15 грн |
| 144+ | 98.16 грн |
| 146+ | 97.31 грн |
| 500+ | 91.17 грн |
| 1000+ | 83.06 грн |
| 2000+ | 78.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP8NK80Z STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP8NK80Z за ціною від 60.10 грн до 295.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP8NK80Z | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP8NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 630 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP8NK80Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V |
на замовлення 792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP8NK80Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 1567 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STP8NK80Z | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,5Ohm; 6,2A; 140W; -55°C ~ 150°C; STP8NK80Z TSTP8NK80Z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STP8NK80Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 100.26 грн |
| 50+ | 99.26 грн |
| 100+ | 98.40 грн |
| 500+ | 92.20 грн |
| 1000+ | 83.99 грн |
| 2000+ | 79.83 грн |
| STP8NK80Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 141.30 грн |
| 10+ | 64.33 грн |
| 50+ | 60.10 грн |
| STP8NK80Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 295.10 грн |
| 50+ | 145.70 грн |
| 100+ | 132.30 грн |
| 500+ | 102.13 грн |
| STP8NK80Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)