STP8NK80Z STMicroelectronics
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 49.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP8NK80Z STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP8NK80Z за ціною від 53.36 грн до 212.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP8NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP8NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP8NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP8NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP8NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 1744 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP8NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V |
на замовлення 1020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP8NK80Z | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,5Ohm; 6,2A; 140W; -55°C ~ 150°C; STP8NK80Z TSTP8NK80Z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
STP8NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| STP8NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |