STP8NM50 STM
Виробник: STM
N-кан. MOSFET 550V, 8A, 0.8 Ом, 120Вт, TO-220 (Zener-Protected SuperMESH) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 162 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP8NM50 STM
Description: MOSFET N-CH 550V 8A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STP8NM50
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STP8NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 550V 8A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
STP8NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500 Volt 8 Amp |
товару немає в наявності |