STP8NM50FP
Виробник:
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP8NM50FP
Description: MOSFET N-CH 550V 8A TO220FP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220FP, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STP8NM50FP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| STP8NM50FP | STM |
Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| STP8NM50FP | STMicroelectronics |
N-канальный ПТ (Vds=550V, Id=5A@T=25C, Id=3.1A@T=100C, Rds=0.8Ohm, P=30W, -65 to 150C).... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
STP8NM50FP | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 550V 8A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
STP8NM50FP | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500 Volt 8 Amp |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| STP8NM50FP |
|
Виробник: STMicroelectronics
N-канальный ПТ (Vds=550V, Id=5A@T=25C, Id=3.1A@T=100C, Rds=0.8Ohm, P=30W, -65 to 150C).... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
N-канальный ПТ (Vds=550V, Id=5A@T=25C, Id=3.1A@T=100C, Rds=0.8Ohm, P=30W, -65 to 150C).... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STP8NM50FP |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 550V 8A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 550V 8A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| STP8NM50FP |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500 Volt 8 Amp
MOSFETs N-Ch 500 Volt 8 Amp
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.