Технічний опис STP8NM50N STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STP8NM50N за ціною від 43.46 грн до 243.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP8NM50N | STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 3A; 45W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 790mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 52 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP8NM50N | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP8NM50N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP8NM50N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO |
на замовлення 547 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STP8NM50N | ST |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A STP8NM50N TSTP8NM50N кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STP8NM50N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 3A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 790mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 3A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 790mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 115.35 грн |
| 50+ | 66.11 грн |
| STP8NM50N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 226.02 грн |
| 10+ | 141.28 грн |
| 50+ | 108.39 грн |
| 100+ | 91.77 грн |
| 500+ | 74.33 грн |
| STP8NM50N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 243.49 грн |
| 10+ | 135.51 грн |
| 100+ | 132.21 грн |
| 500+ | 114.73 грн |
| 1000+ | 100.35 грн |
| 2000+ | 91.42 грн |
| STP8NM50N |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO
MOSFETs N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)