STP8NM50N STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 209+ | 67.87 грн |
| 216+ | 65.80 грн |
| 500+ | 60.97 грн |
| 1000+ | 57.55 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
209 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP8NM50N STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STP8NM50N за ціною від 43.66 грн до 217.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP8NM50N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STP8NM50N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 3A; 45W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 790mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STP8NM50N | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 50 V |
на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STP8NM50N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO |
на замовлення 537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| STP8NM50N | ST |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A STP8NM50N TSTP8NM50Nкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STP8NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 80.54 грн |
| 12+ | 67.37 грн |
| 100+ | 65.32 грн |
| 500+ | 58.37 грн |
| 1000+ | 52.89 грн |
| STP8NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 3A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 790mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 3A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 790mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 189.35 грн |
| 10+ | 65.73 грн |
| STP8NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 50 V
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 217.32 грн |
| 10+ | 135.77 грн |
| 50+ | 104.21 грн |
| 100+ | 88.22 грн |
| 500+ | 71.46 грн |
| STP8NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO
MOSFETs N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





