
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 139.57 грн |
10+ | 114.78 грн |
100+ | 78.53 грн |
250+ | 73.24 грн |
500+ | 66.49 грн |
1000+ | 55.48 грн |
5000+ | 55.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP95N4F3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP95N4F3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0054 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP95N4F3 за ціною від 33.09 грн до 170.00 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP95N4F3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP95N4F3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
STP95N4F3 | Виробник : ST |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP95N4F3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
STP95N4F3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
STP95N4F3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STP95N4F3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
STP95N4F3 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
STP95N4F3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |