STP9N60M2 STMicroelectronics
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 175+ | 70.74 грн |
| 237+ | 52.30 грн |
| 250+ | 49.51 грн |
| 500+ | 43.34 грн |
| 1000+ | 38.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP9N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP9N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.72 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Plus, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).
Інші пропозиції STP9N60M2 за ціною від 41.19 грн до 93.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP9N60M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP9N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.72 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh II Plus productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STP9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 5.5A; 60W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.5A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: 25V On-state resistance: 780mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 10nC |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
STP9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STP9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
STP9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STP9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STP9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 |
товару немає в наявності |