STP9N60M2 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 55.58 грн |
| 50+ | 49.92 грн |
| 100+ | 48.81 грн |
| 500+ | 44.29 грн |
| 1000+ | 39.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP9N60M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP9N60M2 за ціною від 40.04 грн до 64.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STP9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.5A; 60W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.5A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 On-state resistance: 780mΩ Mounting: THT Gate charge: 10nC Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ |
на замовлення 146 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
STP9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STP9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STP9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 |
товару немає в наявності |