Продукція > STMICROELECTRONICS > STP9N80K5
STP9N80K5

STP9N80K5 STMicroelectronics

stp9n80k5-1851658.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 0.73 Ohm typ 7 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.05 грн
10+179.26 грн
100+124.10 грн
250+115.02 грн
500+104.42 грн
1000+81.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP9N80K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STP9N80K5 за ціною від 291.15 грн до 291.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP9N80K5 STP9N80K5 Виробник : STMicroelectronics 390645548587739d8.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+291.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
STP9N80K5 STP9N80K5 Виробник : STMicroelectronics 390645548587739d8.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP9N80K5 Виробник : STMicroelectronics 390645548587739d8.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP9N80K5 STP9N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00236495.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.