STP9NK50Z
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 850mOhm; 7,2A; 110W; -55°C ~ 150°C; STP9NK50Z TSTP9NK50Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 46.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP9NK50Z ST
Description: STMICROELECTRONICS - STP9NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.2 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STP9NK50Z за ціною від 70.26 грн до 243.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP9NK50Z | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP9NK50Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP9NK50Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP9NK50Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP9NK50Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 110W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.2A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Version: ESD Technology: SuperMesh™ Gate-source voltage: ±30V |
на замовлення 296 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP9NK50Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP9NK50Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP9NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.2 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
STP9NK50Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500 Volt 7.2 A Zener SuperMESH |
на замовлення 1208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STP9NK50Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 171+ | 83.02 грн |
| 176+ | 80.56 грн |
| 500+ | 73.01 грн |
| STP9NK50Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 102.00 грн |
| STP9NK50Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 102.61 грн |
| 2000+ | 102.00 грн |
| STP9NK50Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 103.62 грн |
| 10+ | 82.85 грн |
| 100+ | 80.41 грн |
| 500+ | 70.26 грн |
| STP9NK50Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Gate-source voltage: ±30V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 149.11 грн |
| 5+ | 112.76 грн |
| 10+ | 102.81 грн |
| 25+ | 91.20 грн |
| 50+ | 84.57 грн |
| 100+ | 79.60 грн |
| 200+ | 76.28 грн |
| STP9NK50Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 243.32 грн |
| 50+ | 117.60 грн |
| 100+ | 106.30 грн |
| 500+ | 81.16 грн |
| STP9NK50Z |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP9NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.2 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STP9NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.2 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP9NK50Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500 Volt 7.2 A Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 500 Volt 7.2 A Zener SuperMESH
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)