
STP9NK60Z STMicroelectronics
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 44.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP9NK60Z STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP9NK60Z за ціною від 38.13 грн до 210.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP9NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 4001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP9NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP9NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.4A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP9NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.4A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STP9NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP9NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP9NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 910 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP9NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
STP9NK60Z | Виробник : ST |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 290 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
STP9NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |