STP9NK60Z STMicroelectronics
на замовлення 10220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 40.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP9NK60Z STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP9NK60Z за ціною від 35.7 грн до 182.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP9NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.4A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP9NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.4A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 61 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP9NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP9NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP9NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP9NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP9NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| STP9NK60Z | Виробник : ST |
N-MOSFET 9A 600V 125W 0.6Ω Replacement: STP9NC60 STP9NK60Z TSTP9NK60 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
STP9NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |