Продукція > STMICROELECTRONICS > STP9NK65Z
STP9NK65Z

STP9NK65Z STMicroelectronics

stp9nk65z.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+69.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP9NK65Z STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STP9NK65Z за ціною від 57.91 грн до 272.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP9NK65Z STP9NK65Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00003048.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.4A; Idm: 25.6A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.4A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 25.6A
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+71.34 грн
25+63.78 грн
100+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK65Z STP9NK65Z Виробник : STMicroelectronics stp9nk65z.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+73.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK65Z STP9NK65Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00003048.pdf MOSFETs N-Ch 650 Volt 6.4Amp Zener SuperMESH
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.50 грн
10+175.60 грн
100+112.95 грн
500+100.40 грн
1000+80.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK65Z STP9NK65Z Виробник : STMicroelectronics stp9nk65z.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK65Z STP9NK65Z Виробник : STMicroelectronics stp9nk65z.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK65Z en.CD00003048.pdf
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK65Z STP9NK65Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00003048.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.