STP9NK65Z STMicroelectronics
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 78.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP9NK65Z STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP9NK65Z за ціною від 63.98 грн до 310.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP9NK65Z | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP9NK65Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.4A; Idm: 25.6A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.4A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 41nC Pulsed drain current: 25.6A |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STP9NK65Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.4A; Idm: 25.6A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.4A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 41nC Pulsed drain current: 25.6A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP9NK65Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650 Volt 6.4Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 922 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STP9NK65Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
STP9NK65Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| STP9NK65Z |
|
на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
STP9NK65Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STP9NK65Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
STP9NK65Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |