STP9NK65Z STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.4A; Idm: 25.6A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.4A
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 25.6A
Mounting: THT
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 85.00 грн |
| 6+ | 70.50 грн |
| 17+ | 55.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP9NK65Z STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP9NK65Z за ціною від 62.43 грн до 139.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP9NK65Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.4A; Idm: 25.6A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220-3 Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.4A On-state resistance: 1.2Ω Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 41nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 25.6A Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP9NK65Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650 Volt 6.4Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 922 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP9NK65Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
STP9NK65Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| STP9NK65Z |
|
на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
STP9NK65Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STP9NK65Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
STP9NK65Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |