
STP9NK65ZFP STMicroelectronics
на замовлення 37892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 92.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP9NK65ZFP STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP9NK65ZFP за ціною від 51.59 грн до 172.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP9NK65ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 37892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP9NK65ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
STP9NK65ZFP | Виробник : ST |
![]() |
на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
STP9NK65ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STP9NK65ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
STP9NK65ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.4A; Idm: 25.6A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FP Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.4A On-state resistance: 1.2Ω Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 41nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 25.6A Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
STP9NK65ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
STP9NK65ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.4A; Idm: 25.6A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FP Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.4A On-state resistance: 1.2Ω Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 41nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 25.6A Mounting: THT |
товару немає в наявності |