
STP9NK70Z STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STP9NK70Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 122.92 грн |
10+ | 119.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP9NK70Z STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP9NK70Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm.
Інші пропозиції STP9NK70Z
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP9NK70Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
STP9NK70Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STP9NK70Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
|
STP9NK70Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
STP9NK70Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |