STP9NK90Z STMicroelectronics
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 67.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP9NK90Z STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP9NK90Z за ціною від 81.76 грн до 362.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP9NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 160W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP9NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP9NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 160W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 120 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP9NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP9NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP9NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP9NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 900 Volt 8.0 A Zener SuperMESH |
на замовлення 1897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP9NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V |
на замовлення 1135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP9NK90Z | Виробник : ST |
N-MOSFET 8A 900V 160W 1.3? STP9NK90Z TSTP9NK90Z кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP9NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |