STP9NM60N STMicroelectronics
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 180.00 грн |
| 2000+ | 178.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP9NM60N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP9NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 0.63 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STP9NM60N за ціною від 41.83 грн до 255.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP9NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
STP9NM60N | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP9NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 0.63 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| STP9NM60N | Виробник : ST |
N-channel 600 V, 0.63 Ohm, 6.5 A TO-220 MDmesh(TM) II Power MOSFET STP9NM60N TSTP9nm60n кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| STP9NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
 |
STP9NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
STP9NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
| STP9NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||
 |
STP9NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
STP9NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600V 0.63 Ohm 6.5A MDmesh II PWR |
товару немає в наявності |