STPSC10065D STMicroelectronics
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 277.28 грн |
| 10+ | 121.83 грн |
| 100+ | 103.15 грн |
| 500+ | 92.00 грн |
| 1000+ | 80.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC10065D STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220AC, Current - Average Rectified (Io): 10A, Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STPSC10065D за ціною від 101.58 грн до 297.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC10065D | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube |
на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|