STPSC10065D STMicroelectronics
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 66+ | 184.67 грн |
| 69+ | 177.63 грн |
| 100+ | 171.60 грн |
| 250+ | 160.46 грн |
| 500+ | 144.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC10065D STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10065D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220AC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Kapazitive Gesamtladung: 34nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STPSC10065D за ціною від 95.41 грн до 300.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC10065D | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10065D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220ACtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Kapazitive Gesamtladung: 34nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STPSC10065D | Виробник : STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode |
на замовлення 945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STPSC10065D | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V |
на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STPSC10065D | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
STPSC10065D | Виробник : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
STPSC10065D | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STPSC10065D | Виробник : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STPSC10065D | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 650V; 10A; TO220AC; Ufmax: 1.65V Type of diode: Schottky rectifying Case: TO220AC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.65V Max. load current: 22A Max. forward impulse current: 42A Kind of package: tube Leakage current: 0.9mA Heatsink thickness: 1.23...1.32mm кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STPSC10065D | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 650V; 10A; TO220AC; Ufmax: 1.65V Type of diode: Schottky rectifying Case: TO220AC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.65V Max. load current: 22A Max. forward impulse current: 42A Kind of package: tube Leakage current: 0.9mA Heatsink thickness: 1.23...1.32mm |
товару немає в наявності |