STPSC10065DLF STMicroelectronics
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 286.84 грн |
| 10+ | 215.22 грн |
| 100+ | 137.24 грн |
| 500+ | 119.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC10065DLF STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V.
Інші пропозиції STPSC10065DLF за ціною від 115.97 грн до 311.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC10065DLF | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HVPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V |
на замовлення 1964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STPSC10065DLF | Виробник : STMicroelectronics |
SiC Schottky 10A - 650V - |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STPSC10065DLF | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 10A 4-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STPSC10065DLF | Виробник : STMicroelectronics |
650 V 10 A Power Schottky Silicon Carbide Diode |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STPSC10065DLF | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 10A 4-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STPSC10065DLF | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PowerFLAT; SMD; 650V; 10A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: PowerFLAT Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.65V Max. load current: 18A Max. forward impulse current: 210A Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.9mA кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
STPSC10065DLF | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STPSC10065DLF | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PowerFLAT; SMD; 650V; 10A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: PowerFLAT Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.65V Max. load current: 18A Max. forward impulse current: 210A Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.9mA |
товару немає в наявності |