Продукція > STMICROELECTRONICS > STPSC10065DLF
STPSC10065DLF

STPSC10065DLF STMicroelectronics

stpsc10065dlf.pdf Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 650 V 10 A power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+317.79 грн
10+214.42 грн
100+134.28 грн
500+123.54 грн
1000+120.47 грн
3000+105.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STPSC10065DLF STMicroelectronics

Description: DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V.

Інші пропозиції STPSC10065DLF за ціною від 121.25 грн до 325.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STPSC10065DLF STPSC10065DLF Виробник : STMicroelectronics stpsc10065dlf.pdf Description: DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.37 грн
10+214.92 грн
100+167.90 грн
500+130.08 грн
1000+121.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DLF Виробник : STMicroelectronics stpsc10065dlf.pdf SiC Schottky 10A - 650V -
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DLF Виробник : STMicroelectronics stpsc10065dlf.pdf Diode Schottky SiC 650V 10A 4-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DLF Виробник : STMicroelectronics stpsc10065dlf.pdf 650 V 10 A Power Schottky Silicon Carbide Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DLF STPSC10065DLF Виробник : STMicroelectronics stpsc10065dlf.pdf Description: DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DLF Виробник : STMicroelectronics stpsc10065dlf.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerFLAT; SiC; SMD; 650V; 10A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerFLAT
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.65V
Max. load current: 18A
Max. forward impulse current: 210A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.9mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.