STPSC10065DLF STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 301.73 грн |
| 10+ | 199.31 грн |
| 100+ | 155.70 грн |
| 500+ | 120.63 грн |
| 1000+ | 112.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC10065DLF STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V.
Інші пропозиції STPSC10065DLF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC10065DLF | STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 650 V 10 A power Schottky silicon carbide diode |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STPSC10065DLF |
|
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 650 V 10 A power Schottky silicon carbide diode
SiC Schottky Diodes 650 V 10 A power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)