STPSC10065DY STMicroelectronics
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 221.99 грн |
| 10+ | 121.03 грн |
| 100+ | 98.27 грн |
| 500+ | 92.70 грн |
| 1000+ | 92.00 грн |
| 2000+ | 83.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC10065DY STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STPSC10065DY за ціною від 102.74 грн до 319.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC10065DY | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|