Продукція > STMICROELECTRONICS > STPSC10065G2-TR
STPSC10065G2-TR

STPSC10065G2-TR STMicroelectronics

stpsc10065.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+117.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STPSC10065G2-TR STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: D2PAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V.

Інші пропозиції STPSC10065G2-TR за ціною від 107.41 грн до 329.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STPSC10065G2-TR STPSC10065G2-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc10065-1851814.pdf SiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.10 грн
10+197.97 грн
100+125.80 грн
500+107.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065G2-TR STPSC10065G2-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc10065.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+329.47 грн
10+208.98 грн
100+147.61 грн
500+113.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065G2-TR Виробник : STMicroelectronics en.dm00403669.pdf Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065G2-TR STPSC10065G2-TR Виробник : STMicroelectronics en.dm00403669.pdf Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065G2-TR Виробник : STMicroelectronics en.dm00403669.pdf Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.