STPSC10065GY-TR

STPSC10065GY-TR STMicroelectronics


stpsc10065_y-1851701.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10 A SiC Power Schottky Diode
на замовлення 958 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.57 грн
10+203.59 грн
100+143.58 грн
250+135.21 грн
500+126.85 грн
1000+102.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STPSC10065GY-TR STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: D2PAK, Current - Average Rectified (Io): 10A, Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції STPSC10065GY-TR за ціною від 112.92 грн до 319.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STPSC10065GY-TR STPSC10065GY-TR Виробник : STMicroelectronics en.DM00403688.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+319.13 грн
10+200.09 грн
100+146.24 грн
500+112.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065GY-TR STPSC10065GY-TR Виробник : STMicroelectronics en.DM00403688.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.