STPSC10C065RY STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10C065RY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 26.4 nC, TO-262
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-262
Kapazitive Gesamtladung: 26.4nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 243.13 грн |
| 10+ | 126.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC10C065RY STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10C065RY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 26.4 nC, TO-262, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-262, Kapazitive Gesamtladung: 26.4nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STPSC10C065RY за ціною від 175.64 грн до 326.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC10C065RY | Виробник : STMicroelectronics |
Schottky Diodes & Rectifiers Automotive 650 V, 10 A Silicon Carbide Power Schottky Diode |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STPSC10C065RY | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: I2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |