STPSC10H065B-TR STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 118.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC10H065B-TR STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.
Інші пропозиції STPSC10H065B-TR за ціною від 108.69 грн до 335.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC10H065B-TR | Виробник : STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 650 V 10A Schottky silicon carbide DPAK |
на замовлення 2334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STPSC10H065B-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V |
на замовлення 12231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STPSC10H065B-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STPSC10H065B-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
STPSC10H065B-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STPSC10H065B-TR | Виробник : STMicroelectronics |
STPSC10H065B-TR SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |