STPSC10H065D STMicroelectronics
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 301.92 грн |
| 10+ | 141.84 грн |
| 100+ | 106.69 грн |
| 500+ | 99.13 грн |
| 1000+ | 90.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC10H065D STMicroelectronics
Description: 650 V 10 A power Schottky silico, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.
Інші пропозиції STPSC10H065D
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC10H065D | Виробник : STMicroelectronics |
 Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
STPSC10H065D | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
STPSC10H065D | Виробник : STMicroelectronics |
Description: 650 V 10 A power Schottky silico Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |