STPSC10H065DI STMicroelectronics
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 313.41 грн |
| 10+ | 297.65 грн |
| 25+ | 143.37 грн |
| 100+ | 142.62 грн |
| 500+ | 117.72 грн |
| 1000+ | 116.96 грн |
| 2000+ | 111.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC10H065DI STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DI - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-220AC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC, Durchlassstoßstrom: 470A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.75V, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STPSC10H065DI за ціною від 116.82 грн до 328.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC10H065DI | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DI - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-220ACtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC Durchlassstoßstrom: 470A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.75V usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STPSC10H065DI | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIC 650V 10A TO220AC INS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC ins Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STPSC10H065DI | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STPSC10H065DI | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STPSC10H065DI | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; Ir: 425uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 2.5V Max. load current: 22A Max. forward impulse current: 470A Leakage current: 425µA Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.23...1.32mm кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STPSC10H065DI | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; Ir: 425uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 2.5V Max. load current: 22A Max. forward impulse current: 470A Leakage current: 425µA Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.23...1.32mm |
товару немає в наявності |