Продукція > STMICROELECTRONICS > STPSC10H065DLF

STPSC10H065DLF STMicroelectronics

Name: STPSC10H065DLF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 4397462-4
Price: 432.60 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 650 V 10 A power Schottky silicon carbide diode

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	108.15 грн
10+	100.99 грн
100+	87.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STPSC10H065DLF STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 595pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.

Інші пропозиції STPSC10H065DLF

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	STPSC10H065DLF	Виробник : STMicroelectronics	Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 595pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	STPSC10H065DLF	Виробник : STMicroelectronics	Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 595pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.