STPSC10H065G-TR STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065G-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 10A, 28.5nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 135.23 грн |
| 500+ | 121.42 грн |
| 1000+ | 107.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC10H065G-TR STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065G-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 10A, 28.5nC, TO-263, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: 650V, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STPSC10H065G-TR за ціною від 107.47 грн до 324.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC10H065G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Schottky Diodes & Rectifiers 650 V 10A Schottky silicon carbid T2PAK |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STPSC10H065G-TR | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065G-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 10A, 28.5nC, TO-263 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: 650V productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STPSC10H065G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STPSC10H065G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
STPSC10H065G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STPSC10H065G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STPSC10H065G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |