STPSC10H065G-TR

STPSC10H065G-TR STMICROELECTRONICS


2008228.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065G-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 10A, 28.5nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+122.83 грн
500+110.28 грн
1000+97.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STPSC10H065G-TR STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065G-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 10A, 28.5nC, TO-263, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: 650V, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STPSC10H065G-TR за ціною від 97.61 грн до 294.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STPSC10H065G-TR STPSC10H065G-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc10h065-1851793.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650 V 10A Schottky silicon carbid T2PAK
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.97 грн
10+198.85 грн
100+140.14 грн
250+135.26 грн
500+124.81 грн
1000+106.68 грн
2000+99.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TR STPSC10H065G-TR Виробник : STMICROELECTRONICS 2008228.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065G-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 10A, 28.5nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+261.93 грн
10+176.52 грн
100+122.83 грн
500+110.28 грн
1000+97.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TR STPSC10H065G-TR Виробник : STMicroelectronics en.DM00063471.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.93 грн
10+187.10 грн
100+132.03 грн
500+113.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TR STPSC10H065G-TR Виробник : STMicroelectronics en.dm00063471.pdf Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TR STPSC10H065G-TR Виробник : STMicroelectronics en.dm00063471.pdf Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TR STPSC10H065G-TR Виробник : STMicroelectronics en.DM00063471.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.