Продукція > STMICROELECTRONICS > STPSC10H12B-TR1

STPSC10H12B-TR1 STMicroelectronics

Виробник: STMicroelectronics
Schottky Diodes & Rectifiers DFD THYR TRIAC & RECTIFIER

на замовлення 1488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STPSC10H12B-TR1 STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції STPSC10H12B-TR1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STPSC10H12B-TR1	Виробник : STMicroelectronics	Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STPSC10H12B-TR1	Виробник : STMicroelectronics	Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STPSC10H12B-TR1	Виробник : STMicroelectronics	Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.