Продукція > STMICROELECTRONICS > STPSC10H12B2-TR
STPSC10H12B2-TR

STPSC10H12B2-TR STMicroelectronics

stpsc10h12b2-tr.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A DPAK HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+176.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STPSC10H12B2-TR STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A DPAK HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: DPAK HV, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції STPSC10H12B2-TR за ціною від 132.42 грн до 397.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STPSC10H12B2-TR STPSC10H12B2-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc10h12b2-tr.pdf SiC Schottky Diodes 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+372.54 грн
10+243.65 грн
100+151.34 грн
500+142.26 грн
2500+132.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TR STPSC10H12B2-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc10h12b2-tr.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A DPAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 4653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+381.44 грн
10+261.06 грн
100+206.31 грн
500+165.63 грн
1000+159.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TR STPSC10H12B2-TR Виробник : STMICROELECTRONICS 3199719.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12B2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, DPAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DPAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+397.26 грн
5+331.05 грн
10+263.99 грн
50+241.98 грн
100+219.73 грн
250+216.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc10h12b2-tr.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc10h12b2-tr.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc10h12b2-tr.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc10h12b2-tr.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Leakage current: 0.4mA
Max. load current: 25A
Max. forward voltage: 2.25V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 71A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.