Продукція > STMICROELECTRONICS > STPSC10H12B2-TR
STPSC10H12B2-TR

STPSC10H12B2-TR STMicroelectronics

stpsc10h12b2-tr.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A DPAK HV
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK HV
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+122.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STPSC10H12B2-TR STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12B2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, DPAK-HV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DPAK-HV, Kapazitive Gesamtladung: 57nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції STPSC10H12B2-TR за ціною від 119.57 грн до 363.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STPSC10H12B2-TR STPSC10H12B2-TR STMicroelectronics stpsc10h12b2-tr.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+261.07 грн
500+248.14 грн
1000+234.02 грн
10000+212.06 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TR STPSC10H12B2-TR STMicroelectronics stpsc10h12b2-tr.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+261.07 грн
500+248.14 грн
1000+234.02 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TR STPSC10H12B2-TR STMicroelectronics stpsc10h12b2-tr.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+261.07 грн
500+248.14 грн
1000+234.02 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TR STPSC10H12B2-TR STMicroelectronics stpsc10h12b2-tr.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A DPAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK HV
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 3452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.66 грн
10+231.96 грн
100+165.09 грн
500+128.16 грн
1000+119.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TR STPSC10H12B2-TR STMicroelectronics stpsc10h12b2-tr.pdf SiC Schottky Diodes 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TR STPSC10H12B2-TR STMICROELECTRONICS 3199719.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12B2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, DPAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DPAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TR stpsc10h12b2-tr.pdf
STPSC10H12B2-TR
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+261.07 грн
500+248.14 грн
1000+234.02 грн
10000+212.06 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TR stpsc10h12b2-tr.pdf
STPSC10H12B2-TR
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+261.07 грн
500+248.14 грн
1000+234.02 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TR stpsc10h12b2-tr.pdf
STPSC10H12B2-TR
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+261.07 грн
500+248.14 грн
1000+234.02 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TR stpsc10h12b2-tr.pdf
STPSC10H12B2-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A DPAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK HV
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 3452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+363.66 грн
10+231.96 грн
100+165.09 грн
500+128.16 грн
1000+119.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TR stpsc10h12b2-tr.pdf
STPSC10H12B2-TR
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TR 3199719.pdf
STPSC10H12B2-TR
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12B2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, DPAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DPAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.