STPSC10H12B2-TR STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A DPAK HV
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK HV
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC10H12B2-TR STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12B2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, DPAK-HV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DPAK-HV, Kapazitive Gesamtladung: 57nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STPSC10H12B2-TR за ціною від 149.85 грн до 358.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STPSC10H12B2-TR | STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A DPAK HV Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: DPAK HV Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
на замовлення 4653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STPSC10H12B2-TR | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12B2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, DPAK-HV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DPAK-HV Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
STPSC10H12B2-TR | STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode |
на замовлення 1648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STPSC10H12B2-TR |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A DPAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK HV
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A DPAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK HV
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 4653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 358.69 грн |
| 10+ | 245.49 грн |
| 100+ | 194.01 грн |
| 500+ | 155.75 грн |
| 1000+ | 149.85 грн |
| STPSC10H12B2-TR |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12B2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, DPAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DPAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12B2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, DPAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DPAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STPSC10H12B2-TR |
|
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode
SiC Schottky Diodes 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)