STPSC10H12CWL STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A dual High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 346.43 грн |
| 10+ | 276.70 грн |
| 100+ | 228.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC10H12CWL STMicroelectronics
Description: DIODE ARR SIC 1200V 19A TO247-3, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-3, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STPSC10H12CWL за ціною від 285.35 грн до 594.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC10H12CWL | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 19A TO247-3 Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|