STPSC10H12CWL STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARR SIC 1200V 19A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 584.99 грн |
| 10+ | 382.92 грн |
| 100+ | 280.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC10H12CWL STMicroelectronics
Description: DIODE ARR SIC 1200V 19A TO247-3, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-3, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STPSC10H12CWL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC10H12CWL | STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A dual High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode |
на замовлення 559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STPSC10H12CWL |
|
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A dual High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A dual High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)