STPSC10H12D STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 395.19 грн |
| 50+ | 196.92 грн |
| 100+ | 178.00 грн |
| 500+ | 156.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC10H12D STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції STPSC10H12D за ціною від 178.43 грн до 427.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC10H12D | Виробник : STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STPSC10H12D | Виробник : STM |
Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
товару немає в наявності |